| 标准号： |
GB/T 1557-2006 |
| 英文名称： |
The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption |
| 中标分类： |
冶金>>半金属及半导体材料分析方法 |
| 发布日期： |
20061101 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2006 |
| ICS分类： |
金属材料试验综合>>金属材料试验综合 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
8 |
| 附注： |
中国国家标准批准发布公告 2006年第8号(总第95号) |
| 代替标准： |
被GB/T 1557-2018代替 |
| 被代替标准： |
GB/T 14143-1993%GB/T 1557-1989 |
| 引用标准： |
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| 采用关系： |
ASTM F1188-2000,MOD |
| 内容提要（CN）： |
本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω•cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×10的16次方at/cm3到硅中间隙氧的最大固溶度。 |
| 归属： |
中国 |
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