标准号: |
BS EN 62416-2010 |
英文名称: |
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体三极管 |
发布日期: |
2010-07-31 |
发布单位: |
GB-BSI |
标准状态: |
请与本站工作人员进行确认 |
实施日期: |
2010-07-31 |
ICS分类: |
三极管>>三极管 |
起草单位/标准公告: |
BSI |
正文语言: |
英语 |
页数: |
14P.;A4 |
被代替标准: |
07/30163748 DC-2007;08/30177349 DC-2008 |
采用关系: |
EN 62416-2010,IDT;IEC 62416-2010,IDT |
内容提要(CN): |
电气工程;电子设备及元件;寿命;载荷试验;MOS电路;半导体器件;规范(验收);应力;试验;测试条件;晶体管;薄片 |
内容提要(EN): |
Electrical engineering;Electronic equipment and components;Life (durability);Loading tests;MOS circuits;Semiconductor devices;Specification (approval);Stress;Testing;Testing conditions;Transistors;Wafers |
归属: |
英国 |