| 标准号： |
BS EN 62416-2010 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体三极管 |
| 发布日期： |
2010-07-31 |
| 发布单位： |
GB-BSI |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-07-31 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
BSI |
| 正文语言： |
英语 |
| 页数： |
14P.;A4 |
| 被代替标准： |
07/30163748 DC-2007;08/30177349 DC-2008 |
| 采用关系： |
EN 62416-2010,IDT;IEC 62416-2010,IDT |
| 内容提要（CN）： |
电气工程;电子设备及元件;寿命;载荷试验;MOS电路;半导体器件;规范(验收);应力;试验;测试条件;晶体管;薄片 |
| 内容提要（EN）： |
Electrical engineering;Electronic equipment and components;Life (durability);Loading tests;MOS circuits;Semiconductor devices;Specification (approval);Stress;Testing;Testing conditions;Transistors;Wafers |
| 归属： |
英国 |
