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 CCS中国标准分类  
01  BS EN 61788-10-2006 发布日期:2006-11-30  实施日期:2006-11-30
超导性.临界温度测量.用电阻法测量复合超导体的临界温度
Superconductivity - Part 10: Critical temperature measurement - Critical temperature of composite superconductors by a resistance method
参考页数:18P.;A4
02  BS EN 61788-3-2006 发布日期:2006-09-29  实施日期:2006-09-29
超导性.临界电流测量.涂层银或银合金的Bi-2212和Bi-2223氧化超导体的直流临界电流
Superconductivity - Part 3: Critical current measurement - DC critical current of Ag- and/or Ag alloy-sheathed Bi-2212 and Bi-2223 oxide superconductors
参考页数:26P.;A4
03  DIN 50451-6-2014 发布日期:2014-11  实施日期:
半导体工艺用材料测试. 液体中痕量元素测定. 第6部分: 测定含有氢氟酸的高纯度氟化铵溶液蚀刻混合物和高纯度氟化铵溶液 (NH4F) 中的36种元素
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 6: Determination of 36 elements in a high-purity ammonium fluoride solution (NH4F) and in etching mixtures of high-purity ammonium fluoride solution containing hydrofluoric acid
参考页数:14P.;A4
04  DIN 50455-2-1999 发布日期:1999-11  实施日期:
半导体技术用材料的试验.表征光敏抗蚀剂的方法.第2部分:阳极光敏抗蚀剂的光敏度的测定
Testing of materials for semiconductor technology - Methods for the characterisation photoresists - Part 2: Determination of photosensitivity of positive photoresists
参考页数:4P.;A4
05  DIN 50451-5-2010 发布日期:2010-03  实施日期:
半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.第5部分:在每千克微克和每千克豪微克范围之内的痕量元素测定用样品和样品制备装置的材料选择及其适用性试验指南
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 5: Guideline for the selection of materials and testing of their suitability for apparatus for sampling and sample preparation for the determination of trace elements in the range of micrograms per kilogram and nanograms per kilogram
参考页数:11P.;A4
06  DIN 50451-4-2007 发布日期:2007-02  实施日期:
半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.用电感耦合等离子体质谱测定法测定纯净水中34中微量元素
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 4: Determination of 34 elements in ultra pure water by mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)
参考页数:13P.;A4
07  JIS H0603-1978 发布日期:1978-03-01  实施日期:
用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命
Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method
参考页数:4P;A4
08  NF C31-888-2-2007 发布日期:2007-04-01  实施日期:2007-04-20
超导性.第2部分:临界电流测量.Nb3Sn 复合超导体直流(DC)临界电流
Superconductivity - Part 2 : critical current measurement - DC critical current of Nb3Sn composite superconductors.
参考页数:39P.;A4
09  NF C31-888-10-2003 发布日期:2003-05-01  实施日期:2003-05-20
超导性.第10部分:临界温度测量.用电阻法测量铌-钛、铌<下标3>锡和铋-系统氧化物复合超导体的临界温度
Superconductivity - Part 10 : critical temperature measurement - Critical temperature of Nb-Ti, Nb3Sn, and Bi-system oxide composite superconductors by a resistance method.
参考页数:15P.;A4
10  NF C31-888-2-2001 发布日期:2001-07-01  实施日期:2001-07-20
超导性.第2部分:临界电流测量.Nb3Sn 复合超导体的直流临界电流
Superconductivity - Part 2 : critical current measurement - DC critical current of Nb3Sn composite superconductors.
参考页数:32P.;A4
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