| 标准号： |
GB/T 6351-1998 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes. Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100A |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体整流器件 |
| 发布日期： |
1998-11-17 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
1999-06-01 |
| ICS分类： |
二极管>>二极管 |
| 起草单位/标准公告： |
电子工业部标准化研究所 |
| ***： |
CP |
| ***： |
B |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
13P.;A4 |
| 被代替标准： |
GB/T 6351-1986 |
| 采用关系： |
IEC 747-2-1-1989,IDT |
| 内容提要（CN）： |
整流二极管;雪崩二极管;规范;半导体器件;额定值 |
| 内容提要（EN）： |
specifications;semiconductor devices;specification;avalanche diodes;ratings;rectifier diodes |
| 归属： |
中国 |
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