| 标准号： |
BS EN 62417-2010 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体集成电路 |
| 发布日期： |
2010-06-30 |
| 发布单位： |
GB-BSI |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-06-30 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
BSI |
| 正文语言： |
英语 |
| 页数： |
12P.;A4 |
| 被代替标准： |
07/30163752 DC-2007;08/30177346 DC-2008 |
| 采用关系： |
EN 62417-2010,IDT;IEC 62417-2010,IDT |
| 内容提要（CN）： |
覆层;降解;电气工程;电子设备及元件;电离;测量;测量技术;迁移;迁移(化学);金属氧化物场效应晶体管;氧化物;上升;半导体器件;硅;应力;温度;温升;试验;试验条件;阈值电压;晶体管;薄片 |
| 内容提要（EN）： |
Coatings;Degradation;Electrical engineering;Electronic equipment and components;Ionization;Measurement;Measuring techniques;Migration;Migration (chemical);MOSFET;Oxides;Rise;Semiconductor devices;Silicon;Stress;Temperature;Temperature rise;Testing;Testing conditions;Threshold voltage;Transistors;Wafers |
| 归属： |
英国 |
