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中文名称：半导体发光二极管芯片测试方法
标准号:SJ/T 11399-2009
标准号： SJ/T 11399-2009
英文名称： Measurement methods for chips of light emitting diodes
中标分类： 电子元器件与信息技术>>半导体二极管
发布日期： 2009-11-17
发布单位： CN-SJ
标准状态： 请与本站工作人员进行确认
实施日期： 2010-01-01
确认日期： 2017-05-12
ICS分类： 光电子学、激光设备>>光电子学、激光设备
起草单位/标准公告： 中国光学光电子行业协会光电器件分会;厦门华联电子有限公司;杭州浙大三色仪器有限公司;深圳淼浩高新科技有限公司
正文语言： 汉语
页数： 13P.;A4
附注： 根据中华人民共和国工业和信息化部公告2017年第23号,本标准继续有效。
引用标准： GB/T 5698-2001;GB/T 11499-2001;GB/T 15651-1995;SJ/T 11394-2009
内容提要（CN）： 半导体;发光二极管;芯片;测试方法
归属： 中国
下载：“半导体二极管”相关标准(下载...)

SJ/T 11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱  
SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范  
SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法  
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范  
SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法  
SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范  

 

下载“光电子学、激光设备”相关标准(下载...)

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ASTM E1362-2015(2019)  
ASTM F448-2018 测量稳态初级光电流的标准试验方法  

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