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半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管.修改件1
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
参考页数：9P.;A4
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有机晶体管和材料特性用试验方法的IEEE标准
Test Methods for the Characterization of Organic Transistors and Materials (IEEE Computer Society)
参考页数：24P.;A4
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有机电晶体管环形振荡器特性的试验方法
Test Methods for the Characterization of Organic Transistor-Based Ring Oscillators (IEEE Computer Society)
参考页数：19P.;A4
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半导体器件.MOS晶体管的热载流子试验(IEC 62416-2010);德文版本EN 62416-2010
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010); German version EN 62416:2010
参考页数：12P;A4
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金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006
参考页数：14P.;A4
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空白详细规范:光电晶体管、光电复合晶体管、光电晶体管阵列
Blank detail specification - Phototransistors, photodarlington transistors, phototransistor arrays; German version EN 120003:1992
参考页数：18P.;A4
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晶体管的测量方法
Measuring methods for transistors
参考页数：81P;A4
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半导体器件.分立器件和集成电路.第7部分:二极晶体管
Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 7 : bipolar transistors.
参考页数：115P.;A4
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金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET).
参考页数：15P.;A4
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NF C 86-612-1981补充件2
参考页数：3P.;A4
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