标准号: |
IEC 60747-4 AMD 1-2017 |
英文名称: |
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体二极管 |
发布日期: |
2017-01 |
发布单位: |
IX-IEC |
标准状态: |
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ICS分类: |
二极管>>二极管 |
正文语言: |
双语(英,法) |
原文名称: |
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren; ?nderung 1 |
页数: |
9P.;A4 |
附注: |
History:IEC 60747-4 AMD 1 (2017-01);IEC 47E/499/CDV (2015-04);IEC 47E/481/CD (2014-07) |
被代替标准: |
IEC 47E/499/CDV-2015 |
采用关系: |
NEN-IEC 60747-4:2007/A1:2017 en-2017,IDT |
内容提要(EN): |
Acceptance inspection;Avalanche diodes;Bipolar transistors;Components;Continuity tests;Definitions;Diodes;Discrete devices;Electrical engineering;Electrical measurement;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Field-effect transistors;Gunn diodes;Inspection;Integrated circuits;Limits (mathematics);Marking;Measurement;Measuring techniques;Microwave transistors;Mixer diode;Qualification tests;Ratings;Reliability;Routine check tests;Semiconductor devices;Semiconductors;Specification (approval);Symbols;Transistors;Fatigue tests |
内容提要(QT): |
Abnahmeprüfung;Anforderung;Avalanchediode;Bauelement;Begriffe;Bipolartransistor;Dauerprüfung;Definition;Diode;Einzelbauelement;elektrische Messung;Elektronik;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Feldeffekttransistor;Grenzwert;Gunn-Diode;Gunndiode;Halbleiter;Halbleiterbauelement;integrierte Schaltung;Kenndaten;Kennwert;Kennzeichnung;Kurzzeichen;Messung;Messverfahren;Mikrowellentransistor;Mischdiode;Qualit?tsprüfung;Stückprüfung;Symbol;Transistor;Typprüfung;Zuverl?ssigkeit |
归属: |
国际 |