| 标准号： |
DIN EN 62416-2010 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010); German version EN 62416:2010 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2010-12 |
| 发布单位： |
DE-DIN |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-12-01 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 正文语言： |
德语 |
| 原文名称： |
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010 |
| 页数： |
12P;A4 |
| 被代替标准： |
DIN IEC 62416-2007 |
| 采用关系： |
EN 62416-2010,IDT;IEC 62416-2010,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Electrical engineering;Electronic equipment and components;Life (durability);Loading tests;MOS circuits;Semiconductor devices;Specification (approval);Stress;Testing;Testing conditions;Transistors;Wafers |
| 归属： |
德国 |
