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 CCS中国标准分类  
01  IEC 60747-7-2010 发布日期:2010-12  实施日期:2010-12
半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
参考页数:214P.;A4
02  IEC 60747-4-2007 发布日期:2007-08  实施日期:
半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
参考页数:279P.;A4
03  IEC 61643-321-2001 发布日期:2001-12  实施日期:
低压浪涌保护装置的元件 第321部分:雪崩击穿二极管(ABD)规范
Components for low-voltage surge protection devices - Part 321: Specifications for Avalanche Breakdown Diode (ABD)
参考页数:31P.;A4
04  IEC 60747-4 AMD 1-2017 发布日期:2017-01  实施日期:
半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管.修改件1
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
参考页数:9P.;A4
05  IEEE C62.37 ERTA-2009 发布日期:2009-10-23  实施日期:
半导体闸流管二极管冲击保护设备试验规范;勘误表
Errata to IEEE Standard Test Specification for Thyristor Diode Surge Protective Devices
参考页数:11P;A4
06  DIN 4000-19-1988 发布日期:1988-12-01  实施日期:
第19部分:晶体管和可控硅用物品特性表格设计
Tabular layouts of article characteristics for transistors and thyristors
参考页数:4P.;A4
07  DIN 4000-18-1988 发布日期:1988-12-01  实施日期:
第18部分:半导体二极管用物品特性表格设计
Tabular layouts of article characteristics for semiconductor diodes
参考页数:4P.;A4
08  DIN EN 120005-1996 发布日期:1996-11  实施日期:
空白详细规范:光电二极管,光电二极管阵列(非光纤用)
Blank detail specification - Photodiodes, photodiode-arrays (not intended for fibre optic applications); German version EN 120005:1992
参考页数:17P.;A4
09  DIN IEC 60747-3-1992 发布日期:1992-04  实施日期:
半导体器件.分立器件.第3部分:信号二极管(包括开关二极管和稳压二极管)
Semiconductor devices; discrete devices; part 3: signal diodes and regulator diodes; identical with IEC 60747-3:1985
参考页数:34P.;A4
10  JIS C7031-1993 发布日期:1993-02-01  实施日期:
小型信号二极管的测量方法
Measuring methods for small signal diodes
参考页数:34P;A4
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