| 标准号： |
GB/T 29850-2013 |
| 英文名称： |
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications |
| 中标分类： |
冶金>>元素半导体材料 |
| 发布日期： |
2013-11-12 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2014-04-15 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
信息产业专用材料质量监督检验中心;中国电子技术标准化研究院;无锡尚德太阳能电力有限公司;国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心;天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
8P.;A4 |
| 引用标准： |
GB/T 4326;GB/T 14264;GB/T 24581;GB/T 29057 |
| 内容提要（CN）： |
光电池;光电器件;硅;测量; |
| 内容提要（EN）： |
OPTICAL CELLS;PHOTOELECTRIC CELLS;PHOTOELECTRIC DEVICES;PHOTOVOLTAICS;SILICON;SILICONE;MEASUREMENTS;MEASUREMENT;MEASURING; |
| 归属： |
中国 |
