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网站首页 >> 外国标准>> JIS H0614-1996
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中文名称：镜面硅片的目视检查
标准号:JIS H0614-1996
标准号： JIS H0614-1996
英文名称： Visual inspection for silicon wafers with specular surfaces
中标分类： 冶金>>半金属
发布日期： 1996-01-01
发布单位： JP-JISC
标准状态： 请与本站工作人员进行确认
ICS分类： 半导体材料>>半导体材料
起草单位/标准公告： Technical Committee on Electronics
正文语言： 日语
原文名称： シリコンキヨウメンウエーハノガイカンケンサ
页数： 8P;A4
内容提要（CN）： 薄膜;镜子;检验;表面性质;无损检验;镜面反射;膜(物态);硅;外观检查(试验);衬底(绝缘)
内容提要（EN）： visual inspection (testing);non-destructive testing;inspection;silicon;;thin films;films (states of matter);specular reflection;mirrors;surface properties
归属： 日本
下载：“半金属”相关标准(下载...)

GB/T 39150-2020 回收硒原料  
GB/T 39149-2020 回收碲原料  
ASTM D5604-1996(2017) 沉淀二氧化硅标准试验方法. 表面积单点B.E.T.氮吸附  
ASTM A922-2005(2015) 硅金属的标准规格  
ASTM D5604-1996(2017) 沉淀二氧化硅标准试验方法. 表面积单点B.E.T.氮吸附  
ASTM A922-2005(2015) 硅金属的标准规格  
YS/T 1109-2016 有机硅用硅粉  
YS/T 651-2007 二氧化硒  
YS/T 223-2007 硒  
YS/T 68-2014 砷  

 

下载“半导体材料”相关标准(下载...)

JIS H0614-1996 镜面硅片的目视检查  
JIS H0610-1966 锗晶体浸蚀点密度的测定方法  
JIS H0603-1978 用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命  
JIS H0601-1962 锗的电阻率测试方法  
JIS H0602-1995 用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法  
JIS H0604-1995 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命  
JIS H0611-1994 硅片厚度、厚度变化及弯曲的测量方法  
JIS H0613-1978 切制硅片及磨光硅片的目视检查  
JIS H0607-1978 用热电动势法测定锗导电类型  

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