| 标准号： |
EN 60747-16-3-2017 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Part 16-3: Microwave integrated circuits - Frequency converters (IEC 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017); German version EN 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体集成电路 |
| 发布日期： |
2018-0401 |
| 发布单位： |
EN |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2018-04-01 |
| ICS分类： |
其他半导体器件>>其他半导体器件 |
| 起草单位/标准公告： |
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE;German Commissi |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence (IEC 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017); Version allemande EN 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017 |
| 页数： |
48P.;A4 |
| 附注： |
History:DIN EN 60747-16-3-2018-04;DIN EN 60747-16-3/A2-2016-01;DIN EN 60747-16-3-2009-11;DIN IEC 60747-16-3/A1-2007-10;DIN EN 60747-16-3-2003-02;DIN IEC 47E/166/CDV-2000-12 |
| 被代替标准： |
EN 60747-16-3-2009;EN 60747-16-3/A2-2016 |
| 引用标准： |
IEC 60050-702-1992;IEC 60617-DB-2001;IEC 60747-1-2006;IEC 60747-1 AMD 1-2010;IEC 60747-4-2007;IEC 60748-2-1997;IEC 60748-3-1986;IEC 60748-4-1997;IEC 61340-5-1-2007;IEC/TR 61340-5-2-2007 |
| 采用关系： |
DIN EN 60747-16-3-2018,IDT;IEC 60747-16-3-2002,IDT;IEC 60747-16-3 AMD 1-2009,IDT;IEC 60747-16-3 AMD 2-2017,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Adaptation;Damping;Decoupling;Definitions;Dimensioning;Distortion;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Frequencies;Frequency changers;Integrated circuits;Limits (mathematics);Measurement;Measuring techniques;Microwaves;Modulation;Operating conditions;Properties;Ratings;Semiconductor devices;Symbols |
| 内容提要（QT）： |
Retard;Fréquence;Amortissement;Sigle;Cotation;Circuit microélectronique;Désignation abrégée;Caractère;Dispositif semi-conducteur;Mesurage;Composant électronique;Microélectronique;Microstructure électronique;Fréquence électrique;Définition;Circuit intégré de commutation;Dispositif électronique;Condition d'exploitation;Métrologie;Condition fonctionnelle;Limite (mathématiques);Adaptation;Electronique moléculaire;Caractéristique nominale;Electronique;Modulation;Propriété;Metrologie;Découplage;Valeur nominale;Symbole;Mesurage, essai et instruments;Attribut;Adaptabilité;Signe;Technique de mesure;Electrotechnique;Onde micrométrique;Matériel et composants électroniques;Caractéristique;Dimensionnement;Circuit intégré;Chips de silicon;Méthode de mesure;Micro-onde;Valeur caractéristique;Microstructure;Condition de fonctionnement;Convertisseur de fréquence;Distorsion |
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