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CCS中国标准分类
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 CCS中国标准分类  
01  ASTM E1438-2011 发布日期:2011  实施日期:
使用SIMS测量溅镀深度剖面接口宽度的标准指南
Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS
参考页数:3P.;A4
02  ASTM E1438-2011 发布日期:2011  实施日期:
使用SIMS测量溅镀深度剖面接口宽度的标准指南
Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS
参考页数:3P.;A4
03  ISO/TTA 3-2001 发布日期:2001-09-15  实施日期:
多晶材料 中子衍射法测定剩余应力
Polycrystalline materials - Determination of residual stresses by neutron diffraction
参考页数:61P.;A4
04  GB/T 16596-2019 发布日期:2019  实施日期:20200201
确定晶片坐标系规范
Specification for establishing a wafer coordinate system
参考页数:6
05  GB/T 16595-2019 发布日期:2019  实施日期:20200201
晶片通用网格规范
Specification for a universal wafer grid
参考页数:8
06  GB/T 8756-2018 发布日期:20190701  实施日期:2018
锗晶体缺陷图谱
Collection of metallographs on defects of crystalline germanium
参考页数:40
07  YS/T 838-2012 发布日期:2012-11-07  实施日期:2013-03-01
碲化镉
Cadmium telluride
参考页数:12P.;A4
08  YS/T 679-2008 发布日期:2008-03-12  实施日期:2008-09-01
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
参考页数:15P.;A4
09  YS/T 985-2014 发布日期:2014-10-14  实施日期:2015-04-01
硅抛光回收片
Polished reclaimed silicon wafers
参考页数:13P.;A4
10  SJ/T 10482-1994 发布日期:1994-04-11  实施日期:1994-10-01
半导体中深能级的瞬态电容.测试方法
Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
参考页数:7P.;A4
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