标准号: |
YS/T 679-2008 |
英文名称: |
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage |
中标分类: |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
发布日期: |
2008-03-12 |
发布单位: |
CN-YS |
标准状态: |
请与本站工作人员进行确认 |
实施日期: |
2008-09-01 |
确认日期: |
2015-04-30 |
ICS分类: |
半导体材料>>半导体材料 |
起草单位/标准公告: |
有研半导体材料股份有限公司 |
正文语言: |
汉语 |
页数: |
15P.;A4 |
附注: |
根据中华人民共和国工业和信息化部公告2015年第27号,确认继续有效 |
代替标准: |
YS/T 679-2018 |
引用标准: |
GB/T 1552;GB/T 1553;GB/T 6616;GB/T 6618;GB/T 11446.1;GB/T 14264;GB/T 14847 |
采用关系: |
SEMI MF 391-1106,MOD |
内容提要(CN): |
非本征半导体;扩散长度;稳态表面;光电压测试方法 |
内容提要(EN): |
SEMICONDUCTORS;VOLTAGE;POTENTIALS;MEASUREMENT;MEASURING;MEASUREMENTS;EXAMINATION;TEST;TRIALS;TESTING;TESTS;REFRACTORY PRODUCTS;bristles;DEPOSIT;CRUDE OILS;DIFFUSE;DIFFUSION;DIFFUSIONS;DISPERSING |
归属: |
中国 |
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