| 标准号： |
GB/T 14146-2009 |
| 英文名称： |
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
| 发布日期： |
2009-10-30 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-06-01 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
宁波立立电子股份有限公司;南京国盛电子有限公司;信息产业部专用材料质量监督检验中心 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
9P.;A4 |
| 被代替标准： |
GB/T 14146-1993 |
| 引用标准： |
GB/T 1550-1997;GB/T 1552-1995;GB/T 14847-1993 |
| 内容提要（CN）： |
硅;晶体;外延层;浓度;半导体 |
| 内容提要（EN）： |
SILICON;SILICONE;CRYSTALS;EPITAXIAL LAYERS;CONCENTRATION(COMPOSITION);SEMICONDUCTORS |
| 归属： |
中国 |
