| 标准号： |
EN IEC 60749-26-2018 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM) (IEC 60749-26:2018); German version EN IEC 60749-26:2018 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2018-1001 |
| 发布单位： |
EN |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2018-10-01 |
| ICS分类： |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 起草单位/标准公告： |
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE;German Commissi |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM) (IEC 60749-26:2018); Version allemande EN IEC 60749-26:2018 |
| 页数： |
59P.;A4 |
| 附注： |
History:DIN EN IEC 60749-26-2018-10;DIN EN 60749-26-2017-07;DIN EN 60749-26-2014-09;DIN IEC 60749-26-2011-09;DIN EN 60749-26-2007-01;DIN EN 60749-26-2005-05;DIN EN 60749-26-2002-09 |
| 被代替标准： |
EN 60749-26-2014;EN 60749-26-2017 |
| 引用标准： |
DIN EN 60749-1-2003;DIN EN 60749-2-2003;DIN EN 60749-3-2018;DIN EN 60749-4-2017;DIN EN 60749-5-2018;DIN EN 60749-6-2017;DIN EN 60749-7-2012;DIN EN 60749-8-2003;DIN EN 60749-9-2017;DIN EN 60749-10-2003;DIN EN 60749-11-2003;DIN EN 60749-13-2003;DIN EN 60749-14-2004;DIN EN 60749-15-2011;DIN EN 60749-16-2003;DIN EN 60749-17-2003;DIN EN 60749-18-2003;DIN EN 60749-19-2011;DIN EN 60749-20-2010;DIN EN 60749-20-1-2009;DIN EN 60749-21-2012;DIN EN 60749-22-2003;DIN EN 60749-23-2011;DIN EN 60749-24-2004;DIN EN 60749-25-2004;DIN EN 60749-26-2014;DIN EN 60749-27-2013;DIN EN 60749-28-2018;DIN EN 60749-29-2012;DIN EN 60749-30-2011;DIN EN 60749-31-2003;DIN EN 60749-32-2011;DIN EN 60749-33-2004;DIN EN 60749-34-2011;DIN EN 60749-35-2007;DIN EN 60749-36-2003;DIN EN 60749-37-2008;DIN EN 60749-38-2008;DIN EN 60749-39-2007;DIN EN 60749-40-2012;DIN EN 60749-42-2015;DIN EN 60749-43-2018;DIN EN 60749-44-2017;ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014;IEC 60749-1-2002;IEC 60749-1 CORR 1-2003;IEC 60749-2-2002;IEC 60749-2 CORR 1-2003;IEC 60749-3-2017;IEC 60749-4-2017;IEC 60749-5-2017;IEC 60749-6-2017;IEC 60749-7-2011;IEC 60749-8-2002;IEC 60749-8 CORR 1-2003;IEC 60749-8 CORR 2-2003;IEC 60749-9-2017;IEC 60749-10-2002;IEC 60749-10 CORR 1-2003;IEC 60749-11-2002;IEC 60749-11 CORR 1-2003;IEC 60749-11 CORR 2-2003;IEC 60749-12-2017;IEC 60749-13-2018;IEC 60749-14-2003;IEC 60749-15-2010;IEC 60749-16-2003;IEC 60749-17-2003;IEC 60749-18-2002;IEC 60749-19-2003;IEC 60749-19 AMD 1-2010;IEC 60749-19 Edition 1.1-2010;IEC 60749-20-2008;IEC 60749-20-1-2009;IEC 60749-21-2011;IEC 60749-22-2002;IEC 60749-22 Corri |
| 采用关系： |
DIN EN IEC 60749-26-2018,IDT;IEC 60749-26-2018,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Changes of temperature;Checking equipment;Classification;Components;Definitions;Dimensions;Discharge;Electrical components;Electrical engineering;Electrical measurement;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Electrostatic;Electrostatic discharges;Electrostatics;Environment;Environmental testing;Environmental tests;Failure;Human body;Impulse loadability;Integrated circuits;Interference susceptibility;Measuring equipment;Mechanical testing;Models;Resistance;Semiconductor devices;Semiconductors;Simulation;Stress;Temperature;Testing;Visual inspection (testing);Waveforms;Patterns;Testing devices |
| 内容提要（QT）： |
Décharge;Dispositif semi-conducteur;Elément de soutènement;Chips de silicon;Circuit microélectronique;Composant électrotechnique;Mesurage électrique;Examen visuel (essai);Résistance;Classement;Modèle;Composant électronique;Semi-conducteur;Microélectronique;Dimension;Electronique moléculaire;Appareillage de mesure;Charge;Définition;Circuit intégré de commutation;Méthodes d'essai d'environnement;Dispositif électronique;Corps humain;Microstructure;Microstructure électronique;Essai mécanique;Tension;Simulation;équipement de mesure;Electronique;Contrainte;Partie;Essai climatique;Résistivité;Classification;Dérivation;Eléments de construction;Elément de construction;Dispositif d'essai;Résisteur;Défaillance;Température;Composant;Electrotechnique;Matériel et composants électroniques;Défectuosité;Essai aux conditions ambiantes;Circuit intégré;Environnement;Forme d'onde;Variation de température;Sollicitation;Décharge électrostatique;Changement de température;Matériau de semi-conducteur;Electricité statique;Essai;Essai d'environnement;Composant électrique;Electrostatique |
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