标准号: |
EN 62047-16-2015 |
英文名称: |
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 62047-16:2015); German version EN 62047-16:2015 |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
发布日期: |
2015-12 |
发布单位: |
EN |
标准状态: |
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ICS分类: |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
正文语言: |
英语 |
原文名称: |
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung der Eigenspannungen in Dunnschichten von MEMS-Bauteilen - Substratkrummungs- und Biegebalken-Verfahren (IEC 62047-16:2015); Deutsche Fassung EN 62047-16:2015 |
页数: |
13P.;A4 |
附注: |
History:DIN EN 62047-16 (2015-12);DIN EN 62047-16 (2012-11) |
被代替标准: |
EN 62047-16-2012 |
引用标准: |
IEC 62047-21-2014 |
采用关系: |
DIN EN 62047-16-2015,IDT;IEC 62047-16-2015,IDT |
内容提要(QT): |
Anforderung;Bauteil;Begriffe;Biegung;Definition;Dunnfilm;Dunnschicht;Eigenschaft;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Halbleiterbauelement;Krummung;Messung;Messverfahren;Mikroelektronik;Mikrosystemtechnik;Oberflachenbehandlung;Prufung;Prufverfahren;Restspannung;Sichtprufung;Systemtechnik;Verbindung;Wafer;Werkstoff |
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