标准号: |
BS EN 62047-12-2011 |
英文名称: |
Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Bending fatigue testing method of thin film materials using resonant vibration of MEMS structures |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
发布日期: |
2011-11-30 |
发布单位: |
GB-BSI |
标准状态: |
请与本站工作人员进行确认 |
实施日期: |
2011-11-30 |
ICS分类: |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
起草单位/标准公告: |
BSI |
正文语言: |
英语 |
页数: |
34P;A4 |
采用关系: |
EN 62047-12-2011,IDT;IEC 62047-12-2011,IDT |
内容提要(EN): |
Bending strength;Definitions;Electrical engineering;Fatigue;Fatigue limit;Materials;Microelectronics;Microsystem techniques;Resonance;Samples;Semiconductor devices;System engineering;Testing;Testing devices;Testing system;Thin-film technology |
归属: |
英国 |
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