| 标准号： |
IEC 62047-14-2012 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Microelectromechanical devices - Part 14: Forming limit measuring method of metallic film materials |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2012-02 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 起草单位/标准公告： |
IEC/SC 47F |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs microélectromécaniques – Partie 14: Méthode de mesure des limites de formage des matériaux à couche métallique (Edition 1.0) |
| 页数： |
38P;A4 |
| 附注： |
History:IEC 62047-14 (2012-02);IEC 47F/108/FDIS (2011-11);IEC 47F/70/CDV (2010-11);IEC 47F/59/CD (2010-07) |
| 被代替标准： |
IEC 47F/108/FDIS-2011 |
| 引用标准： |
IEC 62047-1-2005 |
| 采用关系： |
EN 62047-14-2012,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Definitions;Electrical engineering;Form changes;Forming forces;Forming method;Material behaviour;Materials;Metal films;Metallic;Microelectronics;Microsystem techniques;Properties;Semiconductor devices;System engineering;Testing;Thickness;Thin films;Thin-film technology |
| 内容提要（QT）： |
Begriffe;Definition;Dicke;Dünnschicht;Dünnschichttechnik;Eigenschaft;Elektrotechnik;Form？nderung;Halbleiterbauelement;metallisch;Metallschicht;Mikroelektronik;Mikrosystemtechnik;Prüfung;Prüfverfahren;Systemtechnik;Umformkraft;Umformverfahren;Werkstoff;Werkstoffverhalten |
| 归属： |
国际 |
