| 标准号： |
IEC 62047-16-2015 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2015-03 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 正文语言： |
双语(英,法) |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 16: Méthodes d'essai pour déterminer les contraintes résiduelles des films de MEMS - Méthodes de la courbure de la plaquette et de déviation de poutre en porte-à-faux |
| 页数： |
21P.;A4 |
| 附注： |
History:IEC 62047-16 (2015-03);IEC 47F/209/FDIS (2014-12);IEC 47F/181/CDV (2014-02);IEC 47F/151/CD (2013-03);IEC 47F/125/CD (2012-07) |
| 被代替标准： |
IEC 47F/209/FDIS-2014 |
| 引用标准： |
IEC 62047-21-2014 |
| 采用关系： |
DIN EN 62047-16-2015,IDT;BS EN 62047-16-2015,IDT;EN 62047-16-2015,IDT;STN EN 62047-16-2015,IDT;CSN EN 62047-16-2015,IDT;DS/EN 62047-16-2015,IDT;NEN-EN-IEC 62047-16:2015 en-2015,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Bending;Components;Compounds;Connections;Curvature;Definitions;Electrical engineering;Electronic equipment and components;Materials;Measurement;Measuring techniques;Microelectronics;Microsystem techniques;Properties;Residual stresses;Semiconductor devices;Specification (approval);Surface treatment;System engineering;Testing;Thin films;Visual inspection (testing);Wafers;Joints;Junctions |
| 内容提要（QT）： |
Anforderung;Bauteil;Begriffe;Definition;Dunnfilm;Eigenschaft;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Halbleiterbauelement;Messung;Messverfahren;Mikroelektronik;Mikrosystemtechnik;Oberflachenbehandlung;Prufung;Prufverfahren;Restspannung;Sichtprufung;Systemtechnik;Verbindung;Wafer;Werkstoff |
| 归属： |
国际 |
